1. 方国家、李春，等；一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法(ZL 200610019782.9)
2. 方国家、李春，等；一种复合场致电子发射材料及其制备方法和用途（ZL 200710051232.X）
3. 方国家、刘逆霜，等；场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法（ZL200810046758.3）
4. 方国家、黄晖辉，等；一种n-ZnO纳米线/p-NiO异质pn结二极管及其制备方法, (ZL 200810197016.0)
5. 方国家、黄晖辉，等；一种n-氧化锌/p-氧化镍异质pn结紫外激光二极管及其制备方法, （ZL 200910061031）
6. 方国家、龙浩，等； ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法(ZL 201010214026.8)
7. 方国家、秦平力，等；一种以Cr2O3为空穴传输层的有机光伏电池及其制备方法，(200910273510.5)
8. 方国家、郑巧，等；一种杂化光伏电池及其制备方法，(2010101121842).
9. 方国家、李颂战，等；一种基于n-ZnO/n-GaN异质结的紫外发光二极管及其制备方法，(200910272929.9)
10. 方国家、刘逆霜，等；一种纳米氧化锌紫外光敏探测器及其制备方法，(200910061566.4)
11. 方国家、何俊，等；一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法（CN1889274）
12. 方国家、程彦钊，等；一种n硅纳米线/p导电有机物异质pn结二极管及其制备方法(CN1917251)
13. 方国家、孙南海，等；一种透明导电薄膜及其制备方法（200910060576.6）
14. 方国家、刘逆霜，等；场发射阴极碳纳米管发射阵列的制备方法 （2008100468758.3）
15. 方国家、李春，等；一种碳纳米管阵列发射阴极的制备方法（200710168360.2）
16. 方国家、王明军，等；一种可双面入光的染料敏化太阳能电池及其制备方法 （201110054373.3）
17. 方国家、曾玮，等；染料敏化太阳能电池中碳对电极的其制备方法，（201210094885.7）
18. 方国家、雷红伟、黄晖辉、柯维俊、程飞，一种有机太阳能电池及其制备方法，中国, 专利申请号：201310063285.9。
19. 方国家、柯维俊、陶洪、雷红伟、王静，一种双面量子点敏化太阳能电池的对电极及其制备方法，，中国, 专利申请号：201310076142.1
20. 方国家、陶洪等，一种丝状染料敏化太阳能电池光阳极的制备方法，中国, 专利申请号：201310108483.2