Monthly Archives: 七月 2014

氧化锌量子点紫光发光二极管 氧化锌（ZnO）量子点（Quantum Dots，QDs)）是一种无毒、无重金属元素、可低温溶液法制备且成本低廉的半导体材料，具有宽的直接带隙、高的激子束缚能和独特的尺寸效应，因而在半导体发光二极管（light-emitting diodes，LEDs）领域具有潜在的应用价值。 本课题组莫小明博士生，在李颂战博士、龙浩、王皓宁、陈昭、万家炜博士生等协助下，制备了ZnO QDs/p-GaN异质结构的LED，获得了紫外到紫光波段的电致发光。通过引入适当厚度的HfO2电子阻挡层，实现了器件电致发光强度的提高和发光峰半高宽的窄化。通过光谱和发光机理研究解释了该现象产生的原因。 该研究成果发表在美国物理学会（AIP）创办管理的著名权威学术期刊《Applied Physics Letters》上。 该工作得到了国家973计划（2011CB933300）、国家自然科学基金（61376013, J1210061）和武汉市科技攻关计划（2013010501010141）的支持。 图（a）ZnO QDs基LED结构示意图；（b）异质结扫描电镜截面图；（c）ZnO QDs透射       电镜图像，插图为高分辨透射电镜图像；（d）器件CIE 1931色谱图