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随着外延工艺的进一步提高和成本的进一步降低，半导体发光二极管（Light-emitting Diode，LED）在显示和照明中的应用越来越广泛。节能环保、便携防震等诸多优点使得人们对发光二极管研究也在进一步深化。 本课题组博士生陈昭，在博士生莫小明、龙浩、王皓宁等协助下与王建波教授课题组合作，利用HfO2作为电子阻挡层，在同型异质结n-ZnO/n-GaN的基础上，实现了器件多色发光。器件不仅能够在直流偏压下双色发光，在交流电压下也可以工作，并且通过对交流信号的调制可以实现器件的近白光发光。该原型器件的研究结果对推动新型交流驱动发光器件的应用具有重要的借鉴作用。 该研究成果被美国物理学会（AIP）创办的物理评论快报《Applied Physcis Letters》接受发表。 该成果得到了国家973计划（2011CB933300）、国家自然科学基金（61376013, J1210061）和武汉市科技攻关计划（2013010501010141）的支持。 图（a）器件的结构示意图和I-V曲线；（b）和（c）分别直流偏压下正向和反向电致发光光谱；（d）和（e）分别为对称交流和非对称交流偏压下器件电致发光光谱；（e）不同条件下器件发光的色度坐标