半导体发光二极管（Light-emitting Diode，LED）具有节能环保、抗震便携等特点，在显示和照明领域具有非常重要的应用价值。氧化锌（ZnO）材料具有宽禁带和高激子束缚能的特点，被认为是实现室温下低阈值短波长发光器件的理想材料。
本课题组博士生王皓宁，在李颂战、龙浩、莫小明博士及博士生陈昭等的协助下，采用脉冲激光沉积工艺制备了一种新型的Au/MgZnO/ZnO/MgZnO/p-GaN结构发光二级管。该结构是在pn结结构基础上，在n-ZnO有源层两侧增加MgZnO阻挡层改进而来，改进后的结构在正反偏压下均实现了ZnO的紫外近带边发射，在交流电压的激励下也能工作，实现紫外电致发光。这种新型结构LED对无机交流薄膜型LED器件的发展有很大的借鉴意义。
该研究成果已被Electronic Materials Letters接受发表。
该工作得到了国家973计划及国家自然科学基金的支持。
图（左上） 器件结构图及交流发光光谱图 （左下）不同偏压下的能带结构
（右）器件在正向偏压（上）和反向偏压（下）下的电致发光光谱图